Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN3B04N8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN3B04N8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
2078 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949477
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN3B04N8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
700mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2480 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN3B04N8DKR-DG
ZXMN3B04N8CT-NDR
ZXMN3B04N8DKR
ZXMN3B04N8DKRINACTIVE
ZXMN3B04N8TR
ZXMN3B04N8TR-NDR
ZXMN3B04N8CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMTH10H4M5LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
DMP1012UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
DMN6068SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223