ZXMN3B01FTA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZXMN3B01FTA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZXMN3B01FTA-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 1.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

26757 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12907195
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZXMN3B01FTA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
700mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.93 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
258 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
625mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ZXMN3B01FDKR
ZXMN3B01FTR
ZXMN3B01FCT
ZXMN3B01FTA-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFP17N50L

MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3

diodes

ZVP4525GTC

MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223

vishay-siliconix

IRFR320TRLPBF

MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK

nexperia

PSMN1R8-30PL,127

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB