Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN3A06DN8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN3A06DN8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
1033 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12904454
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN3A06DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
796pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
1.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN3A06DN8CT
ZXMN3A06DN8TR-NDR
ZXMN3A06DN8TR
ZXMN3A06DN8CT-NDR
ZXMN3A06DN8DKR
ZXMN3A06DN8DKR-DG
ZXMN3A06DN8DKRINACTIVE
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZXMC3A18DN8TA
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
ZXMN2088DE6TA
MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT23-6
ZXMHC10A07N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
