Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN3A04DN8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN3A04DN8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
17103 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12886913
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN3A04DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
36.8nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1890pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1.81W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN3A04DN8DKR
ZXMN3A04DN8TR
ZXMN3A04DN8TR-NDR
ZXMN3A04DN8CT
ZXMN3A04DN8CT-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZXMD63C02XTC
MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP
ZXMC3A16DN8TC
MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
ZXMP3F37DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO