Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN2A04DN8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN2A04DN8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
584 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12904074
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN2A04DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
700mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22.1nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1880pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMC2450UV-13
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
DMP31D7LDW-13
MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363
ZXMC4A16DN8TA
MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO
