ZXMN2A02X8TA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZXMN2A02X8TA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZXMN2A02X8TA-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP

Αποθέμα:

12906458
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZXMN2A02X8TA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
700mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1900 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
1034-ZXMN2A02X8CT
ZXMN2A02X8CT
1034-ZXMN2A02X8DKR
ZXMN2A02X8TR
ZXMN2A02X8CT-NDR
ZXMN2A02X8TR-NDR
ZXMN2A02X8DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXTH54N30T

MOSFET N-CH 300V 54A TO247

vishay-siliconix

IRFBC40SPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

littelfuse

IXFH24N80P

MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD

vishay-siliconix

IRFL31N20D

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK