Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN2A01E6TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN2A01E6TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Αποθέμα:
7328 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12905422
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN2A01E6TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
700mV @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
303 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-6
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ZXMN2A01E6CT-DG
ZXMN2A01E6CT-NDR
ZXMN2A01E6TR-DG
ZXMN2A01E6TR-NDR
ZXMN2A01E6DKR
ZXMN2A01E6DKRINACTIVE
1034-ZXMN2A01E6CT
31-ZXMN2A01E6TATR
ZXMN2A01E6DKR-DG
ZXMN2A01E6TR
31-ZXMN2A01E6TACT
ZXMN2A01E6CT
31-ZXMN2A01E6TADKR
1034-ZXMN2A01E6TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZXMP10A18KTC
MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
IRFU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
ZXMP10A16KTC
MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
