Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMHC6A07T8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMHC6A07T8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 1.6A, 1.3A 1.3W Surface Mount SM8
Αποθέμα:
6011 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12887198
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMHC6A07T8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.6A, 1.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
1.3W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-223-8
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SM8
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMHC6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
ZXMHC6A07T8DKR-DG
ZXMHC6A07T8CT-NDR
ZXMHC6A07T8DKR
ZXMHC6A07T8TR-NDR
ZXMHC6A07T8CT
ZXMHC6A07T8TR
ZXMHC6A07T8DKRINACTIVE
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
ZXMC3A17DN8TA
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
DMTH4011SPDQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50