Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXM62N03GTA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXM62N03GTA-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Αποθέμα:
12906103
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXM62N03GTA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
380 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
ZXM62N03GTR
ZXM62N03GTA-DG
ZXM62N03GCT
ZXM62N03GDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3032LE-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
159962
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3032LE-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NDT451AN
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1367
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NDT451AN-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.40
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR110TRL
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
ZXMN0545G4TA
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
2N6660JTXV02
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
