Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXM61P02FTA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXM61P02FTA-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Αποθέμα:
38272 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12885265
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXM61P02FTA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
900mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
625mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXM61P02
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ZXM61P02FDKR
ZXM61P02FCT
ZXM61P02FCT-NDR
ZXM61P02FTR
Q1365154
ZXM61P02FTR-NDR
ZXM61P02FDKR-NDR
ZXM61P02F
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZVN4306A
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
ZVN4210ASTZ
MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
ZVN4206GVTC
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
