ZVP4525E6TC
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZVP4525E6TC

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZVP4525E6TC-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 250 V 197mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Αποθέμα:

12906264
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZVP4525E6TC Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
197mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
3.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.45 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±40V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
73 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-6
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZVP4525E6TA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
13576
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZVP4525E6TA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRLZ44STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR010TRR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

ZVP0545GTC

MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223

vishay-siliconix

IRL520STRR

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK