ZVP2110GTA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZVP2110GTA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZVP2110GTA-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 310mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Αποθέμα:

12905786
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZVP2110GTA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZVP2110

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
ZVP2110GDKR
ZVP2110GTR-NDR
ZVP2110GCT-NDR
ZVP2110GTR
ZVP2110G
ZVP2110GCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

ZXMN10A07ZTA

MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3

diodes

ZVN4424ASTOB

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

diodes

ZVN2106ASTOB

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

littelfuse

IXTP8N65X2M

MOSFET N-CH 650V 4A TO220