ZVN4306GVTA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZVN4306GVTA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZVN4306GVTA-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 2.1A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Αποθέμα:

1985 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12907281
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZVN4306GVTA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZVN4306

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
31-ZVN4306GVTADKR
ZVN4306GVTR-NDR
ZVN4306GVCT-DG
ZVN4306GVCT-NDR
ZVN4306GVTR-DG
ZVN4306GVDKR-DG
ZVN4306GVDKR
31-ZVN4306GVTATR
ZVN4306GV
ZVN4306GVCT
31-ZVN4306GVTACT
ZVN4306GVTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRLI530GPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3

littelfuse

IXTA240N055T

MOSFET N-CH 55V 240A TO263

vishay-siliconix

IRC640PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5

vishay-siliconix

IRFR310TRLPBF

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK