ZVN3310ASTZ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZVN3310ASTZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZVN3310ASTZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Αποθέμα:

12906218
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZVN3310ASTZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
40 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
625mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
E-Line (TO-92 compatible)
Συσκευασία / Θήκη
E-Line-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZVN3310

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-ZVN3310ASTZDKR
31-ZVN3310ASTZDKR-DG
31-ZVN3310ASTZCT
31-ZVN3310ASTZDKRINACTIVE
ZVN3310ASTZ-DG
31-ZVN3310ASTZTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

ZXMP10A18GTA

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

vishay-siliconix

IRF9610PBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR310TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB