ZVN3310ASTOB

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZVN3310ASTOB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZVN3310ASTOB-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Αποθέμα:

RFQ Online

12905021

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZVN3310ASTOB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

200mA (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.4V @ 1mA

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

40 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

625mW (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

E-Line (TO-92 compatible)

Συσκευασία / Θήκη

E-Line-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

ZVN3310ASTOB-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

4,000

Άλλα ονόματα

Q1030741

ZVN3310ASTOB-NDR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

vishay-siliconix

IRFP044PBF

MOSFET N-CH 60V 57A TO247-3

diodes

ZXM61P02FTC

MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3

diodes

VN10LFTC

MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3

diodes

ZVN4206GTA

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223