Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZVN2110GTA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZVN2110GTA-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Αποθέμα:
8391 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12905673
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZVN2110GTA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
75 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZVN2110
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
ZVN2110GCT
ZVN2110GDKRINACTIVE
ZVN2110G
ZVN2110GTR-NDR
ZVN2110GCT-NDR
ZVN2110GTR
ZVN2110GDKR-DG
Q1206752
ZVN2110GDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IXFR27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
ZVP2106ASTZ
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
