S1MSP1N-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

S1MSP1N-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

S1MSP1N-7-DG

Περιγραφή:

DIODE GP 1KV 1A POWERDI123
Λεπτομερής Περιγραφή:
Diode 1000 V 1A Surface Mount PowerDI™ 123

Αποθέμα:

12997325
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

S1MSP1N-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Αντιστοιχιστές, Μοναδικές Δίοδοι
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Standard
Τάση - DC Reverse (Vr) (Μέγ.)
1000 V
Ρεύμα - Μέσος όρος διορθωμένο (Io)
1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν
1.1 V @ 1 A
Ταχύτητα
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης (trr)
1.2 µs
Ρεύμα - Αντίστροφη διαρροή @ Vr
10 µA @ 1000 V
Χωρητικότητα @ Vr, F
4pF @ 4V, 1MHz
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
POWERDI®123
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI™ 123
Θερμοκρασία Λειτουργίας - Διασταύρωση
-55°C ~ 150°C

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
31-S1MSP1N-7

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PCDB1065G1_R2_00001

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263

mdd

DSK12

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL

diotec-semiconductor

SK36SMB

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB

taiwan-semiconductor

SK56C R6

DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB