DMTH8028LFVW-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH8028LFVW-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH8028LFVW-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Αποθέμα:

13000939
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH8028LFVW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
631 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-DMTH8028LFVW-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH8028LFVWQ-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH8028LFVWQ-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH8028LFVWQ-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH8028LFVWQ-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMT10H009SCG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

goford-semiconductor

G33N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

goford-semiconductor

G65P06T

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220

goford-semiconductor

GT105N10T

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<