DMTH8012LK3-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH8012LK3-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH8012LK3-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Αποθέμα:

1630 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12896544
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH8012LK3-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1949 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH8012

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMTH8012LK3-13DICT
DMTH8012LK3-13DITR
31-DMTH8012LK3-13DKR
DMTH8012LK3-13DI-DG
31-DMTH8012LK3-13CT
31-DMTH8012LK3-13TR
DMTH8012LK3-13DI
DMTH8012LK3-13DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLR3110ZTRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
20611
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLR3110ZTRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.73
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD60N10S412ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5842
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD60N10S412ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.68
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMNH6012LK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

taiwan-semiconductor

TSM2328CX RFG

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM7P06CP ROG

MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252

diodes

DMP2038USS-13

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO