Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMTH8008LPSQ-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMTH8008LPSQ-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 91A (Tc) 1.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Αποθέμα:
2500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13000839
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMTH8008LPSQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
91A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
41.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2345 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta), 100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMTH8008LPSQ-13DKR
31-DMTH8008LPSQ-13CT
31-DMTH8008LPSQ-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TSM60NB260CI
600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G65P06T
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
DMTH4M70SPGW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
