DMTH63M6LPSWQ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH63M6LPSWQ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH63M6LPSWQ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 105A (Tc) 3.3W (Ta), 84.7W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Αποθέμα:

13242594
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH63M6LPSWQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
105A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2479 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.3W (Ta), 84.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type UX)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMTH63M6LPSWQ-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH83M2SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMP3045LVTQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R

diodes

DMTH10H4M6SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMTH10H4M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50