Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMTH6016LPDQ-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMTH6016LPDQ-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Αποθέμα:
77 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884129
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMTH6016LPDQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
864pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH6016
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMTH6016LPDQ-13CT
DMTH6016LPDQ-13-DG
31-DMTH6016LPDQ-13TR
31-DMTH6016LPDQ-13DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMC2710UV-13
MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
DMT6018LDR-13
MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
DMN5L06VK-7-G
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
