DMTH6002LPS-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH6002LPS-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH6002LPS-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)

Αποθέμα:

14787 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12899709
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH6002LPS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6555 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
167W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type K)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH6002

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMTH6002LPS-13DIDKR
DMTH6002LPS-13-DG
DMTH6002LPS-13DITR
DMTH6002LPS-13DICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM70N750CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2323CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

nexperia

PHB45NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

diodes

DMP2004TK-7

MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523