DMTH48M3SFVW-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH48M3SFVW-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH48M3SFVW-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 14.6A (Ta), 52.4A (Tc) 2.82W (Ta), 36.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Αποθέμα:

13000450
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH48M3SFVW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14.6A (Ta), 52.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
897 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.82W (Ta), 36.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-DMTH48M3SFVW-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH48M3SFVWQ-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH48M3SFVWQ-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH48M3SFVWQ-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH48M3SFVWQ-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP3045LVT-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R

goford-semiconductor

G06N10

N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3

taiwan-semiconductor

TSM5ND50CI

500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G75P04K

P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-