Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMTH43M8LFGQ-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMTH43M8LFGQ-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.62W (Ta), 65.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Αποθέμα:
7543 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949682
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMTH43M8LFGQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2798 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH43
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMTH43M8LFGQ-13TR
31-DMTH43M8LFGQ-13DKR
31-DMTH43M8LFGQ-13CT
DMTH43M8LFGQ-13DI
DMTH43M8LFGQ-13DI-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TK34A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
DMJ70H1D3SH3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
