DMTH10H010SPSQ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH10H010SPSQ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH10H010SPSQ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 11.8A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Αποθέμα:

1872 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12894609
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH10H010SPSQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.8A (Ta), 100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
56.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4468 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta), 166W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMTH10H010SPSQ-13DICT
DMTH10H010SPSQ-13DIDKR-DG
DMTH10H010SPSQ-13DIDKR
DMTH10H010SPSQ-13DITR
31-DMTH10H010SPSQ-13CT
DMTH10H010SPSQ-13DITR-DG
31-DMTH10H010SPSQ-13TR
DMTH10H010SPSQ-13DICT-DG
31-DMTH10H010SPSQ-13DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS86103L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1417
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS86103L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC098N10NS5ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
16419
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC098N10NS5ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.62
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH6004SCTBQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB

diodes

DMP2033UCB9-7

MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9

diodes

DMT43M8LFV-13

MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333

taiwan-semiconductor

TSM60NB900CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252