DMTH10H010SCT
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH10H010SCT

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH10H010SCT-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 2.5W (Ta), 187W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

50 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12894530
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH10H010SCT Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
56.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4468 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 187W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP3036SFV-13

MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333

diodes

DMTH4007SPS-13

MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM35N10CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252

diodes

DMP3007SPS-13

MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8