DMTH10H010LPS-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMTH10H010LPS-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMTH10H010LPS-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 10.8A (Ta), 98.4A (Tc) 1.5W, 125W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Αποθέμα:

12896110
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMTH10H010LPS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10.8A (Ta), 98.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
53.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2592 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W, 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMTH10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSZ084N08NS5ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
37514
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSZ084N08NS5ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS86103L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1417
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS86103L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSZ110N08NS5ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
56961
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSZ110N08NS5ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.39
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM80N400CF C0G

MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S

diodes

DMN7022LFG-7

MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8

taiwan-semiconductor

TSM025NB04LCR RLG

MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN

diodes

DMT35M7LFV-7

MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333