DMT8008LPS-13

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT8008LPS-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT8008LPS-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 80 V 83A (Tc) 1.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Αποθέμα:

RFQ Online

12888577

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT8008LPS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

80 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

83A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.8V @ 1mA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

41.2 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

2345 pF @ 40 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.3W (Ta), 83W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerDI5060-8

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerTDFN

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMT8008

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMT8008LPS-13-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

DMT8008LPS-13DI

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

diodes

DMN2009LSS-13

MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP

diodes

DMN2005UFGQ-13

MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333

diodes

DMN62D0UT-13

MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523

diodes

DMTH43M8LFGQ-7

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333