Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT8007LPSW-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT8007LPSW-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 1.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Αποθέμα:
1960 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12992684
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT8007LPSW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
45.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2682 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta), 104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type UX)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT8007
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMT8007LPSW-13TR
31-DMT8007LPSW-13CT
31-DMT8007LPSW-13DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMP2042UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
DMTH15H017SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMT10H032LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
