Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT69M5LCG-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT69M5LCG-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) 1.37W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Αποθέμα:
12979098
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT69M5LCG-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1406 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.37W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V-DFN3333-8 (Type B)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-DMT69M5LCG-7TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT10H9M9LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMN61D9UT-7
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
DMT8008SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
