DMT64M1LCG-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT64M1LCG-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT64M1LCG-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 65 V 16.7A (Ta), 67.8A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Αποθέμα:

12979169
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT64M1LCG-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
65 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2626 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V-DFN3333-8 (Type B)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-DMT64M1LCG-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMT64M8LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

diodes

DMP31D7L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMN3009LFVQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMP6250SEQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R