DMT6015LFVW-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT6015LFVW-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT6015LFVW-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 31.8A (Tc) 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Αποθέμα:

RFQ Online
12978754
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT6015LFVW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta), 31.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
808 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.8W (Ta), 28.4W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων
DMT6015LFVW

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-DMT6015LFVW-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH6016LFVWQ-13-A

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMN3060LW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

panjit

PJT7413_S1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

diodes

DMTH6016LFVWQ-7-A

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333