DMT6010LFG-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT6010LFG-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT6010LFG-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12894051
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT6010LFG-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Ta), 30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
41.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2090 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.2W (Ta), 41W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT6010

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT6010LFG-13CT
31-DMT6010LFG-13DKR
31-DMT6010LFG-13TR
DMT6010LFG-13-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP510DL-13

MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23-3

diodes

DMP4015SK3Q-13

MOSFET P-CH 40V 14A/35A TO252

diodes

DMPH3010LPSQ-13

MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8

diodes

DMT3004LPS-13

MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060