Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT35M4LFVW-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT35M4LFVW-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 60A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Αποθέμα:
12985739
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT35M4LFVW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Ta), 60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
982 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT35M4LF
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT35M4LFVW-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMT35M4LFVW-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMT35M4LFVW-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHA15N60E-GE3
N-CHANNEL 600V
DMPH4013SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
BUK9M31-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L