Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT32M5LPSW-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT32M5LPSW-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Αποθέμα:
12986828
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT32M5LPSW-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4389 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.2W (Ta), 100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type UX)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT32
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMT32M5LPSW-13TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
GT035N06T
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
FDBL9406-F085HM
MOSFET
TW083N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
