DMT3011LDT-7

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT3011LDT-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT3011LDT-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN

Λεπτομερής Περιγραφή:

Mosfet Array 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)

Αποθέμα:

8665 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12888212

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT3011LDT-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Διαμόρφωση

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Δυνατότητα FET

-

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

8A, 10.7A

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

641pF @ 15V

Ισχύς - Μέγιστη

1.9W

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 155°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Συσκευασία / Θήκη

8-VDFN Exposed Pad

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

V-DFN3030-8 (Type K)

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMT3011

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMT3011LDT-7-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

DMT3011LDT-7-DG

DMT3011LDT-7DICT

DMT3011LDT-7DITR

DMT3011LDT-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

diodes

DMP4050SSDQ-13

MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

diodes

DI9945T

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

diodes

DMNH6021SPDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50

diodes

DMP2065UFDB-13

MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN