DMT3011LDT-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT3011LDT-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT3011LDT-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)

Αποθέμα:

8665 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888212
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT3011LDT-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A, 10.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
641pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1.9W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 155°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-VDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
V-DFN3030-8 (Type K)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT3011

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMT3011LDT-7-DG
DMT3011LDT-7DICT
DMT3011LDT-7DITR
DMT3011LDT-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP4050SSDQ-13

MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

diodes

DI9945T

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

diodes

DMNH6021SPDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50

diodes

DMP2065UFDB-13

MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN