DMT3009LFVW-7

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT3009LFVW-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT3009LFVW-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Αποθέμα:

650 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12883509

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT3009LFVW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

12A (Ta), 50A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

3.8V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

11mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

12 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

823 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.3W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount, Wettable Flank

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerVDFN

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMT3009

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMT3009LFVW-7-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,000

Άλλα ονόματα

DMT3009LFVW-7-DG

31-DMT3009LFVW-7CT

31-DMT3009LFVW-7DKR

31-DMT3009LFVW-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

TPH11003NL,LQ

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Toshiba Semiconductor and Storage

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

2298

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

TPH11003NL,LQ-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.23

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

MFR Recommended

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RQ3E120BNTB

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Rohm Semiconductor

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

2880

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RQ3E120BNTB-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.16

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

MFR Recommended

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

diodes

DMN60H080DS-13

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3

DMT3020LFCL-7

MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN

diodes

DMN63D8LW-13

MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323

diodes

DMS3016SFG-7

MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8