DMT10H9M9SH3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT10H9M9SH3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT10H9M9SH3-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 84A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-251

Αποθέμα:

12979041
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT10H9M9SH3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
84A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
114W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
31-DMT10H9M9SH3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
global-power-technologies-group

GCMS080B120S1-E1

SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S

diodes

DMP10H088SPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMT64M8LSS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

diodes

DMTH15H017SPS-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5