Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT10H072LFV-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT10H072LFV-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 4.7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Αποθέμα:
6289 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12888983
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT10H072LFV-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.7A (Ta), 20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
228 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8 (Type UX)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
31-DMT10H072LFV-7DKR
31-DMT10H072LFV-7TR
DMT10H072LFV-7DI
DMT10H072LFV-7DI-DG
31-DMT10H072LFV-7CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
DMT4005SCT
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
DMTH4004SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
