Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT10H072LFDF-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT10H072LFDF-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Αποθέμα:
3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889056
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT10H072LFDF-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
266 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
800mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN2020-6 (Type F)
Συσκευασία / Θήκη
6-UDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT10H072LFDF-7CT
31-DMT10H072LFDF-7DKR
31-DMT10H072LFDF-7TR
DMT10H072LFDF-7-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN2320UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
BSS123ATC
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
DMPH4029LFGQ-7
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
