DMS3012SFG-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMS3012SFG-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMS3012SFG-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Αποθέμα:

12884941
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMS3012SFG-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4310 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Body)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
890mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI3333-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMS3012SFG-13DI
DMS3012SFG-13DI-DG
DMS3012SFG-13DICT
-DMS3012SFG-13DITR
DMS3012SFG-13DITR
DMS3012SFG-13DIDKR
-DMS3012SFG-13DIDKR
-DMS3012SFG-13DICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AON6414A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
29158
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AON6414A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STL56N3LLH5
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2074
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STL56N3LLH5-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.39
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ3E120GNTB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11286
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ3E120GNTB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP58D0LFB-7

MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN

diodes

DMN61D8L-13

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

diodes

DMT10H010LK3-13

MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

diodes

DMN6070SFCL-7

MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6