DMPH4029LFG-13

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMPH4029LFG-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMPH4029LFG-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 40 V 8A (Ta), 22A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Αποθέμα:

RFQ Online

12898641

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMPH4029LFG-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Diodes Incorporated

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

40 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

8A (Ta), 22A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

29mOhm @ 3A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

34 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1626 pF @ 20 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.2W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerDI3333-8

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerVDFN

Βασικός αριθμός προϊόντος

DMPH4029

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

DMPH4029LFG-13-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

DMPH4029LFG-13DI

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMPH4029LFGQ-13

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Diodes Incorporated

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

0

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMPH4029LFGQ-13-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.22

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Parametric Equivalent

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMPH4029LFG-7

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Diodes Incorporated

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

0

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMPH4029LFG-7-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.20

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Parametric Equivalent

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMPH4029LFGQ-7

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Diodes Incorporated

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

2395

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMPH4029LFGQ-7-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.22

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Parametric Equivalent

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

taiwan-semiconductor

TSM60NB041PW C1G

MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

taiwan-semiconductor

TSM4ND65CI

MOSFET N-CH 650V 4A ITO220

diodes

DMN6040SK3Q-13

MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R

taiwan-semiconductor

TSM052N06PQ56 RLG

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN