DMP6018LPSQ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMP6018LPSQ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMP6018LPSQ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 60A (Tc) 2.6W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Αποθέμα:

4319 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12987432
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMP6018LPSQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 17A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3505 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.6W (Ta), 113W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMP6018LPSQ-13CT
31-DMP6018LPSQ-13DKR
31-DMP6018LPSQ-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FCC620N60ZF

FCC620N60ZF

diotec-semiconductor

MMFTN2362

MOSFET SOT23 N 60V 0.08OHM 150C

toshiba-semiconductor-and-storage

TW060N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO

diodes

BSS138WQ-13-F

BSS FAMILY SOT323 T&R 10K