DMP10H4D2S-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMP10H4D2S-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMP10H4D2S-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 270mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

23796 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12949542
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMP10H4D2S-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
270mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
87 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
380mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMP10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMP10H4D2S-7DITR
DMP10H4D2S-7DIDKR
DMP10H4D2S-7DICT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TK3P50D,RQ(S

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

diodes

DMT4004LPS-13

MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060

diodes

DMP10H400SE-13

MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

diodes

ZVP4105ASTOA

MOSFET P-CH 50V 175MA E-LINE