DMNH15H110SPS-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMNH15H110SPS-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMNH15H110SPS-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

Αποθέμα:

13000398
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMNH15H110SPS-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
989 pF @ 75 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMNH15

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMNH15H110SPS-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
goford-semiconductor

G10N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M

panjit

PSMP075N15NS1_T0_00601

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

vishay-siliconix

SI2323DS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

IRLR110TRPBF-BE3

N-CHANNEL 100V