Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN95H8D5HCTI
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN95H8D5HCTI-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Αποθέμα:
18 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12884090
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN95H8D5HCTI Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
950 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ITO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN95
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
DMN95H8D5HCTIDI
DMN95H8D5HCTI-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP5N100PM
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
207
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP5N100PM-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMPH4015SSS-13
MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
DMP6185SK3-13
MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
DMN6069SFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
