DMN68M7SCT
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN68M7SCT

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN68M7SCT-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 68 V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

RFQ Online
12978608
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN68M7SCT Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
68 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72.9 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4260 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN68

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων
DMN68M7SCT

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
31-DMN68M7SCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STP65N045M9

N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5

diodes

DMN2451UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMP3160LQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMN3404LQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R