DMN65D8LW-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN65D8LW-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN65D8LW-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323

Αποθέμα:

41102 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889595
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN65D8LW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-323
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN65

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN65D8LW7
DMN65D8LW-7DICT
DMN65D8LW-7DITR
DMN65D8LW-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J331R,LF

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K7002BSU,LF

MOSFET N-CH 60V 200MA USM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K35CT,L3F

MOSFET N-CH 20V 180MA CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

TK16J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P