Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN63D8LDW-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN63D8LDW-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
133451 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12883555
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN63D8LDW-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
220mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN63
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN63D8LDW7
DMN63D8LDW-7TR
DMN63D8LDW-7CT
DMN63D8LDW-7DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN3035LWN-7
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
DMN12M7UCA10-7
MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
DMN3061SVT-7
MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT23-6
